如果一个衬底上有两个NMOS，请问可以把这两个NMOS的B端口接不同的电位吗

互联网 2023-03-06

CMOS 当器件隔离时为什么NMOS衬底接低点位 PMOS接高点位

一般的NMOS drain端都是接高电位，只有衬底为低电位，那么drain端和P阱相当于PN结反偏，才不会有衬底漏电；同理PMOS的drain为最低点位，为了防止drain端和N阱正偏，所以NMOS衬底接低点位 PMOS接高点位

高分请教MOS管问题

呵呵，我来给你解答吧

首先是MOS符号，一楼的说的不错，有很多种表示方法。一般来说，我们都是把右边三条竖线连在一起的，也是比较通用的表示方法。

1.右边三条线表示漏极（D），衬底（B），以及源极（S），NMOS从上到下是D,B,S，PMOS从上到下是S,B,D

2.是的，串联的时候，相邻的两个极需要连在一起。

3.接到VDD的是PMOS，接到VSS的是NMOS。是为了保证衬底电位的稳定。因为沟道的形成就是靠Gate端和衬底B之间的压差，即我们通常说的开启阈值。

4.参考第一条的解答，栅极是最左边的竖线或和这条竖线相连的横线

5.理论上，真正的沟通只在栅极和衬底之间，及长竖线和中间短竖线之间。

MOS符号和实际的物理结构之间是有一些差异的，你可以去搜一些器件的剖面图（CrossSection），结合上面的解释，看一看就明白了。

为什么mos管的源极与衬底极都是连着的

1、防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道，这里是防止衬底与源极的PN结导通，导通了的话，就会有电流从衬底的低掺杂的P型硅片流向源极的高掺杂N+区。 2、将衬底与源极相连接，两者的电位就相同了，没有正向压降，两者间的PN结就不会导通，从而就不会有电流流过PN结。 3、也可以不连接衬底与源极，但是要保证衬—源之间电压U（BS）使衬—源之间PN结反向偏置。这样也不会有电流从衬底经过PN结流向源极。你自己再把书仔仔细细看看，这问题问老师，估计会挨骂。

NMOS晶体管的工作原理

NMOS晶体管的工作原理：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅）,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。 NMOS晶体管简介： NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor。意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们

如果把cmos反相器中的nmos和pmos颠倒连接，电路能否工作？为什么？

不能工作。

开启电压大概是指数值上相等。而且PMOS的VGS也是负的，当VGS的绝对值大于VTH的绝对值时，PMOS开始导通。低电平时PMOS的VGS的绝对值很大，NMOS的VGS的绝对值很小，所以pmos导通，NMOS截止。

PMOS接电源比较方便，出于功耗和速度的考量，所有的逻辑电路都是这样，比如NAND与非门。

没有必要使用PMOS和NMOS组成全桥整流电路，直接在电路输入中安装一只全桥整流桥不就可以得到整流电压了。

扩展资料：

CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成，其中V1为NMOS管，称驱动管，V2为PMOS管，称负载管。 NMOS管的栅源开启电压UTN为正值，PMOS管的栅源开启电压是负值，其数值范围在2~5V之间。为了使电路能正常工作，要求电源电压UDD>(UTN+|UTP|)。

UDD可在3~18V之间工作，其适用范围较宽。工作原理：当UI=UIL=0V时，UGS1=0，因此V1管截止，而此时|UGS2|>|UTP|，所以V2导通，且导通内阻很低，所以UO=UOH≈UDD，即输出为高电平。当UI=UIH=UDD时，UGS1=UDD>UTN，V1导通，而UGS2=0<|UTP|，因此V2截止。

参考资料来源：百度百科-反相器

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