p32外围模块只允许一次重新配置什么意思

电脑 2024-11-28

机器人的外围设备有哪些类型？各有何用途?

朋友，你好
下面是我帮你找的答案
http://www.robotdiy.com/phpbb2/viewforum.php?f=1&topicdays=0&start=1250&sid=c85ddeeb22acc77cb1538565dd10f2e4
这个上面很齐全
做机器人要先了解电子元器件
这里有一些电子元件的知识给新手：
电子元件（1）<电阻>
电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为：分流、限流、分压、偏置等。＃ 1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。 a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如： 472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100K b、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻（精密电阻）＃ 2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差（%）银色 / x0.01 ±10 金色 / x0.1 ±5 黑色 0 +0 / 棕色 1 x10 ±1 红色 2 x100 ±2 橙色 3 x1000 / 黄色 4 x10000 / 绿色 5 x100000 ±0.5 蓝色 6 x1000000 ±0.2 紫色 7 x10000000 ±0.1 灰色 8 x100000000 / 白色 9 x1000000000 /
电子元件（2）<电容>
＃ 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。＃ 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如 10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF ＃ 3、电容容量误差表符号 F G J K L M 允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。
电子元件（3）<晶体二极管>
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。＃ 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如 1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。＃ 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。＃ 3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。＃ 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下：型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000 电流（A）均为1
电子元件（4）<稳压二极管>
稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。＃ 1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。＃ 2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V
电子元件（5）<电感>
电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示 1uH（误差5%）的电感。电感的基本单位为：亨（H）换算单位有：1H=103mH=106uH
电子元件（6）<变容二极管 >
变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极
电子元件（7）<晶体三极管>
晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。＃1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。＃2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。名称共发射极电路共集电极电路（射极输出器）共基极电路输入阻抗中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧）输出阻抗中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧）电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1）功率放大倍数大（约30～40分贝）小（约10分贝）中（约15～20分贝）频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级，低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路
电子元件（8）<场效应晶体管放大器>
＃1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。＃2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。＃3、场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛
电子元件（9）<单片机>*1
单片机硬件系统设计原则(转贴) zt(icbase.com) 一个单片机应用系统的硬件电路设计包含两部分内容：一是系统扩展，即单片机内部的功能单元，如ROM、RAM、I/O、定时器/计数器、中断系统等不能满足应用系统的要求时，必须在片外进行扩展，选择适当的芯片，设计相应的电路。二是系统的配置，即按照系统功能要求配置外围设备，如键盘、显示器、打印机、 A/D、D/A转换器等，要设计合适的接口电路。系统的扩展和配置应遵循以下原则：＃ 1、尽可能选择典型电路，并符合单片机常规用法。为硬件系统的标准化、模块化打下良好的基础。＃ 2、系统扩展与外围设备的配置水平应充分满足应用系统的功能要求，并留有适当余地，以便进行二次开发。＃ 3、硬件结构应结合应用软件方案一并考虑。硬件结构与软件方案会产生相互影响，考虑原则是：软件能实现的功能尽可能由软件实殃，以简化硬件结构。但必须注意，由软件实现的硬件功能，一般响应时间比硬件实现长，且占用CPU时间。＃ 4、系统中的相关器件要尽可能做到性能匹配。如选用CMOS芯片单片机构成低功耗系统时，系统中所有芯片都应尽可能选择低功耗产品。＃ 5、可靠性及抗干扰设计是硬件设计必不可少的一部分，它包括芯片、器件选择、去耦滤波、印刷电路板布线、通道隔离等。＃ 6、单片机外围电路较多时，必须考虑其驱动能力。驱动能力不足时，系统工作不可靠，可通过增设线驱动器增强驱动能力或减少芯片功耗来降低总线负载。＃ 7、尽量朝“单片”方向设计硬件系统。系统器件越多，器件之间相互干扰也越强，功耗也增大，也不可避免地降低了系统的稳定性。随着单片机片内集成的功能越来越强，真正的片上系统SoC已经可以实现，如ST公司新近推出的μPSD32××系列产品在一块芯片上集成了80C32核、大容量FLASH存储器、 SRAM、A/D、I/O、两个串口、看门狗、上电复位电路等等。单片机系统硬件抗干扰常用方法实践影响单片机系统可靠安全运行的主要因素主要来自系统内部和外部的各种电气干扰，并受系统结构设计、元器件选择、安装、制造工艺影响。这些都构成单片机系统的干扰因素，常会导致单片机系统运行失常，轻则影响产品质量和产量，重则会导致事故，造成重大经济损失。
形成干扰的基本要素有三个：（1）干扰源。指产生干扰的元件、设备或信号，用数学语言描述如下：du/dt， di/dt大的地方就是干扰源。如：雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都可能成为干扰源。（2）传播路径。指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路或媒介。典型的干扰传播路径是通过导线的传导和空间的辐射。（3）敏感器件。指容易被干扰的对象。如：A/D、D/A变换器，单片机，数字IC，弱信号放大器等。干扰的分类 1干扰的分类干扰的分类有好多种，通常可以按照噪声产生的原因、传导方式、波形特性等等进行不同的分类。按产生的原因分：可分为放电噪声音、高频振荡噪声、浪涌噪声。按传导方式分：可分为共模噪声和串模噪声。按波形分：可分为持续正弦波、脉冲电压、脉冲序列等等。 2 干扰的耦合方式干扰源产生的干扰信号是通过一定的耦合通道才对测控系统产生作用的。因此，我有必要看看干扰源和被干扰对象之间的传递方式。干扰的耦合方式，无非是通过导线、空间、公共线等等，细分下来，主要有以下几种：（1）直接耦合：这是最直接的方式，也是系统中存在最普遍的一种方式。比如干扰信号通过电源线侵入系统。对于这种形式，最有效的方法就是加入去耦电路。从而很好的抑制。（2）公共阻抗耦合：这也是常见的耦合方式，这种形式常常发生在两个电路电流有共同通路的情况。为了防止这种耦合，通常在电路设计上就要考虑。使干扰源和被干扰对象间没有公共阻抗。（3）电容耦合：又称电场耦合或静电耦合。是由于分布电容的存在而产生的耦合。（4）电磁感应耦合：又称磁场耦合。是由于分布电磁感应而产生的耦合。（5）漏电耦合：这种耦合是纯电阻性的，在绝缘不好时就会发生。常用硬件抗干扰技术针对形成干扰的三要素，采取的抗干扰主要有以下手段。 1 抑制干扰源抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt，di/dt。这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要的原则，常常会起到事半功倍的效果。减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小干扰源的di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。
形成干扰的基本要素有三个：（1）干扰源。指产生干扰的元件、设备或信号，用数学语言描述如下：du/dt， di/dt大的地方就是干扰源。如：雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都可能成为干扰源。（2）传播路径。指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路或媒介。典型的干扰传播路径是通过导线的传导和空间的辐射。（3）敏感器件。指容易被干扰的对象。如：A/D、D/A变换器，单片机，数字IC，弱信号放大器等。干扰的分类 1干扰的分类干扰的分类有好多种，通常可以按照噪声产生的原因、传导方式、波形特性等等进行不同的分类。按产生的原因分：可分为放电噪声音、高频振荡噪声、浪涌噪声。按传导方式分：可分为共模噪声和串模噪声。按波形分：可分为持续正弦波、脉冲电压、脉冲序列等等。 2 干扰的耦合方式干扰源产生的干扰信号是通过一定的耦合通道才对测控系统产生作用的。因此，我有必要看看干扰源和被干扰对象之间的传递方式。干扰的耦合方式，无非是通过导线、空间、公共线等等，细分下来，主要有以下几种：（1）直接耦合：这是最直接的方式，也是系统中存在最普遍的一种方式。比如干扰信号通过电源线侵入系统。对于这种形式，最有效的方法就是加入去耦电路。从而很好的抑制。（2）公共阻抗耦合：这也是常见的耦合方式，这种形式常常发生在两个电路电流有共同通路的情况。为了防止这种耦合，通常在电路设计上就要考虑。使干扰源和被干扰对象间没有公共阻抗。（3）电容耦合：又称电场耦合或静电耦合。是由于分布电容的存在而产生的耦合。（4）电磁感应耦合：又称磁场耦合。是由于分布电磁感应而产生的耦合。（5）漏电耦合：这种耦合是纯电阻性的，在绝缘不好时就会发生。常用硬件抗干扰技术针对形成干扰的三要素，采取的抗干扰主要有以下手段。 1 抑制干扰源抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt，di/dt。这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要的原则，常常会起到事半功倍的效果。减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小干扰源的di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。
电子元件（10）<晶体管的选用经验>
晶体管的品种繁多，不同的电子设备与不同的电子电路，对晶体管各项性能指标的要求是不同的。所以，应根据应用电路的具体要求来选择不同用途，不同类型的晶体管。＃ 1．一般高频晶体管的选用一般小信号处理（例如图像中放、伴音中放、缓冲放大等）电路中使用的高频晶体管，可以选用特征频率范围在30~300MHZ的高频晶体管，例如3DG6、 3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、 BC337、BC338、BC548、BC558等型号的小功率晶体管，可根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，还要考虑被选晶体管的耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压、电流放大系数等参数及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。＃ 2．末级视放输出管的选用彩色电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于80MHZ的高频晶体管。 21in（in=0.0254m）以下的中小屏幕彩色电视机中使用的末级视放输出管,其耗散功率应大于或等于750mW,最大集电极电流应大于或等于 50mA,最高反向电压应大于200V,一般可选用3DG182J、2SC2229、2SC3942等型号的晶体管。 25英寸以上的大屏幕彩色电视机中使用的末级视放输出管，其耗散功率应大于或等于1.5W，最大集电极电流应大于或等于50mA，最高反向电压应大于 300V，一般可选用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型号的晶体管。＃ 3．行推动管的选用彩色电视机中使用的行推动管，应选用中、大功率的高频晶体管。其耗散功率应大于或等于10W，最大集电极电流应大于150mA，最高反向电压应大于或等于 250V。一般可选用3DK204、2SC1569、2SC2482、2SC2655、2SC2688等型号的三极管。＃ 4．行输出管的选用彩色电视机中使用的行输出管属于高反压大功率晶体管，其最高反向电压应大于或等于1200V，耗散功率应大于或等于50W，最大集电极电流应大于或等于 3.5A（大屏幕彩色电视机行输出管的耗散功率应大于或等于60W，最大集电极电流应大于5A）。 21英寸以下小屏幕彩色电视机的行输出管可选用2SD869、2SD870、2SD871、2SD899A、2SD950、

2000年的AMI BIOS如何修改、编辑加入模块或打开隐藏选项

要升级
要升到下面那个网址去下个windows界面下的BIOS升级程序。现在大部分BIOS都有WINDOS界面下的升级系统。虽然不如DOS下安全，但是够简单
参考资料：
http://drivers.mydrivers.com/drivers-201-92-AMI/
只要选择主菜单相应选项，即可了解相关内容。
开机显卡自检测完成后，点击＜DEL键＞即可进入AMI BIOS SETUP设置界面主菜单。
进入了AMI BIOS NEW SETUP UTILITY 设定工具, 屏幕上会显示主菜单。主菜单共提供了十二种设定功能和两种退出选择。用户可通过方向键选择功能项目, 按键可进入子菜单。
主菜单
主菜单显示了BIOS所提供的设定项目类别。您可使用方向键( ↑↓ )选择不同的条目。对选定项目的提示信息显示在屏幕的底部。
默认设置
BIOS setup程序有两种默认的设置：BIOS Setup设置和High Performance Defaults设置。BIOS Setup Defaults设置提供了所有设备和系统的稳定但最小效能的设置。而High Performance Defaults设置提供了最好的系统效能，但有可能导致系统不稳定。
Standard CMOS Features(标准CMOS设定)
使用此菜单可对基本的系统配置进行设定。如时间，日期等。
Advanced BIOS Features(高级BIOS特性设定)
使用此菜单可对系统的高级特性进行设定。
Advanced Chipset Features(高级芯片组功能设定)
使用此菜单可以修改芯片组寄存器的值，优化系统的性能表现。
Power Management Features(电源管理设定)
使用此菜单可以对系统电源管理进行特别的设定。
PNP/PCI Configurations（PnP/PCI配置）
此项仅在您系统支持PnP/PCI时才有效。
Integrated Peripherals（整合周边设定）
使用此菜单可以对周边设备进行特别的设定。
PC Health Status（PC基本状态）
此项显示了您PC的当前状态。
Frequency/Voltage Control（频率和电压控制）
使用此菜单可以设定管理员/用户密码。
Set Supervisor Password（设置管理员密码）
使用此菜单可以设定管理员密码。
Set User Password（设置用户密码）
使用此菜单可以设定用户密码。
Load High Performance Defaults（载入高性能缺省值）
使用此菜单可以加载主板制造商提供的为较高的性能优化过的BIOS设定值。
Load BIOS Setup Defaults（载入BIOS设定值缺省值）
使用此菜单可以加载主板制造商提供的最小稳定的方式运行设置的一组默认值。
Save & Exit Setup（保存后退出）
保存对CMOS的修改，然后退出Setup程序。
Exit Without Saving（不保存退出）
放弃对CMOS的修改，然后退出Setup程序。
标准CMOS特性设定
--------------------------------------------------------------------------------
Standard CMOS Features菜单中的项目共分为9个类。每类不包含或包含一个到一个以上的可修改项目。使用方向键选定您要修改的项目, 然后使用或选择您所需要的设定值。
System Date（日期）
日期的格式是。
day 星期, 从Sun.(星期日)到Sat.(星期六), 由BIOS定义。只读。
month 月份, 从Jan.(一月)到Dec.(十二月)。
date 日期, 从1到31可用数字键修改。
year 年, 用户设定年份。
System Time（（时间）
时间格式是(<时> <分> <秒>。
Primary/Secondary IDE Master/Slave （IDE第一/第二主/从）
按PgUp/<+>或PgDn/<->键选择硬盘类型。根据你的选择硬盘类型将出现在右手边。
Type: 按下PgUp/<+> 或PgDn/<-> 选择装置类型
Cylinders: 选择柱面数
Heads: 选择磁头数
Write Precompensation: 选择写预补偿
Sectors: 选择扇区数
Maximum Capacity: 选择最大的容量
LBA Mode: LBA模式打开或关闭
Block Mode: 块模式也叫块传输，多命令，或多扇区读/写。选择驱动器支持的每扇区块写/读优化数目的自动侦测。
Fast Programmed I/O Modes: 为每个IDE设备选择PIO模式(0~5)。模式0到5成功地提供了增强的效能。
32Bit Transfer Mode: 当32位I/O传输打开时，效能提升。
Floppy Drive A/B（（驱动器A/B)
此项设置软驱的类型，可选项: Not Installed, 1.2 MB , 720 KB , 1.44MB 2.88 MB 。
Boot Sector Virus Protection（（根区病毒保护）
此项是用来设定IDE硬盘引导扇区病毒入侵警告功能。此项设为启用后，如果有程序企图在此区中写入信息, BIOS会在屏幕上显示警告信息, 并发出蜂鸣警报声。设定值为Disabled 和Enabled。
高级BIOS特性设定
--------------------------------------------------------------------------------
Quick Boot（快速引导）
此项可在系统开启后, 加速Power On Self Test(POST)过程。如果设为Enabled, BIOS会在POST时, 缩短或跳过一些检测项目。设定值为Enabled和Disabled。
Full Screen Logo Show（显示全屏LOGO）
此选项能在启动画面上显示公司的logo标志。设置如下：
Enabled 启动时显示静态的LOGO画面。
Disabled 启动时显示自检信息。
Boot Sequency（选择引导设备）
按下回车键进入子菜单并出现以下屏幕：
1st/2nd/3rd启动设备
此项允许您设定AMIBIOS载入操作系统的引导设备启动顺序，设定值为：
IDE-0 系统首先尝试从第一硬盘引导。
IDE-1 系统首先尝试从第二硬盘引导。
IDE-2 系统首先尝试从第三硬盘引导
IDE-3 系统首先尝试从第四硬盘引导
Floppy 系统首先尝试从软盘驱动器引导
ARMD-FDD 系统首先尝试从ARMD-FDD驱动器引导,如LS-120,ZIP等类似软驱装置
ARMD-HDD 系统首先尝试从ARMD-HDD驱动器引导,如MO,ZIP等硬盘装置
CDROM 系统首先尝试从CD-ROM驱动器引导
Legacy SCSI 系统从SCSI设备引导
Legacy NET- 系统从网络设备引导
WORK
BBS-0 系统首先尝试从第一个BBS（BIOS 启动规格）兼容设备引导
BBS-1 系统首先尝试从第二个BBS（BIOS 启动规格）兼容设备引导
BBS-2 系统首先尝试从第三个BBS（BIOS 启动规格）兼容设备引导
BBS-3 系统首先尝试从第四个BBS（BIOS 启动规格）兼容设备引导
BBS-4 系统首先尝试从第五个BBS（BIOS 启动规格）兼容设备引导
BBS-5 系统首先尝试从第六个BBS（BIOS 启动规格）兼容设备引导
BBS-6 系统首先尝试从第七个BBS（BIOS 启动规格）兼容设备引导
BBS-7 系统首先尝试从第八个BBS（BIOS 启动规格）兼容设备引导
BBS-8 系统首先尝试从第九个BBS（BIOS 启动规格）兼容设备引导
BBS-9 系统首先尝试从第十个BBS（BIOS 启动规格）兼容设备引导
USB FDD 系统首先尝试从USB接口的软盘驱动器启动
USB CDROM 系统首先尝试从USB接口的CD-ROM启动
USB HDD 系统首先尝试从USB接口的硬盘启动
USB RMD- 系统先尝试从USB接口的ARMD-FDD驱动器引导，如FDD LS-120 ，ZIP等类似软驱装置。
USB RMD- 系统先尝试从USB接口的ARMD-HDD驱动器引导，如HDD MO,ZIP等类似硬盘装置。
Disabled 禁用此次序。
Try Other Boot Devices（其它设备引导）
将此项设定为Yes时，允许系统在从第一/第二/第三设备引导失败后，尝试从其它设备引导。
S.M.A.R.T. for Hard Disks(硬盘的智能检测技术）
此项允许您激活硬盘的S.M.A.R.T（自我监控、分析、报告技术）能力。S.MA.R.T应用程序是来监控硬盘的状态预测硬盘失败。可以提前将数据从硬盘上移动到安全的地方。设置为：Enabled, Disabled。
BootUp Num-Lock（启动时Numberlock状态）
此项可以让您用来设定系统启动后，NumLock 的状态。当设定为On 时，系统启动后将打开Num Lock，小键盘数字键有效。当设定为Off 时，系统启动后Num Lock关闭，小键盘方向键有效。设定值为On 和Off。
Floppy Drive Swap（交换软盘驱动器盘符）
此项设置可交换软盘驱动器A和B的盘符。设定值： A: 和 B:。
Floppy Drive Seek（寻找软驱）
此项设置引起启动时候BIOS搜寻驱动器。当设定为Enabled时，则在系统引导中, BIOS会激活软驱，驱动器的激活指示灯将闪烁并且磁头来回移动一次。首先是A，然后是B。设定值为：Disabled和Enabled。
Primary Display（主显示）
此项配置计算机的主显示子系统。可选项为：Mono (monochrome),CGA40x25, CGA80x25, VGA/EGA, Absent。
注意
1. 根据您所安装的启动装置的不同，在“1st/2nd/3rd” 选项中所出现的可选设备有相应的不同。例如：如果您的系统没有安装软驱，在启动顺序菜单中就不会出现软驱的设置。
2. 如果您想从USB设备启动，请将I USB Legacy Support设置为All Device。
Password Check（检查密码）
此项规定了AMI BIOS的密码保护的种类。设置如下：
Setup 密码框仅在用户试图进入BIOS设置时出现。
Always 密码框在每次加电开机或用户试图进入BIOS设置时出现。
Boot To OS/2（引导OS/2）
当允许您在OS/2?操作系统下使用大于64MB的DRAM。当你选择No时，你不能在内存大于64M时运行OS/2?，操作系统。但如果你选择Yes时则可以。
Internal Cache（内部缓存）
缓存是一种特别的内存，它比传统的DRAM（系统内存）快很多。当CPU请求数据时，系统将被请求的数据从系统内存调入缓存中，供CPU更快的存取。此项设定就是控制内部缓存(也称为L1或一级缓存)。设定为WriteBack 将产生最好的效能。
System BIOS Cacheable（系统BIOS缓存）
选择Enabled（启用）允许您建立系统BIOS ROM缓存，位置在F0000h-FFFFFh范围，能得到更好的系统性能表现。但是，如果任何一个程序在此内存区内进行写入操作，系统将会报错。设定值为：Enabled（启用），Disabled（禁用）。
C000, 32k Shadow
此项可让您设定如何控制指定适配器ROM的内容。设定值描述如下：
Disabled 指定的ROM不复制到RAM中。
Enabled 指定的ROM复制到RAM中以加快系统效能。
Cached 指定的ROM不仅复制到RA中，还可以从缓存中读写。
APIC Function（APIC功能）
此项用于启用或禁止APIC（高级可编程中断控制器）。由于遵循了PC2001设计指南，此系统可以在APIC模式下运行。启用APIC模式将为系统扩充可用的IRQ资源。设置值为：Enabled（启用）和Disabled（禁用）。
MPS Table Version（MPS表版本）
此项允许您选择操作系统所使用的MPS (多处理器规范) 版本。您需要选择您的操作系统所支持的MPS 版本。要了解所使用的版本，请咨询操作系统的经销商。设定值为： 1.4， 1.1。
高级芯片组特性设定
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DRAM Timing Control（内存频率控制）
按下回车进入子菜单并出现以下的屏幕。
Current Host Clock（当前主时钟）
此项显示可当前CPU的频率。
Configure SDRAM Timing by
设置决定SDRAM 的时钟设置是否由读取内存模组上的SPD (SerialPresence Detect) EEPROM 内容决定。设置为Enabled将根据SPD自动如果您对芯片组不熟悉请不要修改这些设定。决定以下项目SDRAM Frequency, SDRAM CAS# Latency, RowPrecharge Time, RAS Pulse Width, RAS to CAS Delay 和SDRAM BankInterleave 。选择User允许用户受动配置这些项目。
SDRAM Frequency（SDRAM时钟）
使用此项设定所安装内存的时钟，设定选项为： 200MHz, 266MHz,333MHz, 400MHz, Auto。*查阅附录：详细的关于推荐的DDR400内存模组
SDRAM CAS# Latency（SDRAM CAS#延迟）
项控制在SDRAM接受并开始读指令后的延迟时间(在时钟周期内) 的。设定值为：1.5, 2, 2.5, 3.0 (clocks)。2 (clocks)是增加系统性能，而3 (clocks)是增加系统的稳定性。
Row Precharge Time（行充电时间）
此项可以控制行地址滤波(RAS) 充电时钟周期数。如果在内存刷新前没有足够的时间允许RAS充电，刷新可能不完全并且内存可能保存数据失败。此项仅在系统中安装有同步DRAM才有效。有效的设定： 2T, 3T。
RAS Pulse Width（RAS脉冲波长）
此项允许您根据内存规格，设置RAS脉冲波长的时钟周期数。更小的时钟周期会使DRAM有更快的性能表现。设定值有： 6T, 5T。
RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延迟）
当DRAM 刷新后，所有的行列都要分离寻址。此项设定允许您决定从RAS (行地址滤波) 转换到CAS (列地址滤波)的延迟时间。更小的时钟周期会使DRAM有更快的性能表现。设定值有： 3T, 2T。
Bank Interleave（堆插入数）
此项设定安装的SDRAM的插入数是2-堆还是4-堆。如果安装16MBSDRAM 请禁用此功能。设定值为：Disabled（禁用）， 2-Way 和 4-Way。
DDR DQS Input Delay (DDR DQS输入延迟)
此项允许您设定DQS 的延迟时间，以改善数据处理速度，同时提升稳定性。设定值有：Auto, 18, 08, 0E, 0F。
SDRAM Burst Length（SDRAM爆发存取长度）
此设置允许你设置DRAM爆发存取长度的大小。爆发特征是DRAM在获得第一个地址后自己预测下一个存取内存位置的技术。使用此特性，你必须要定义爆发长度，也就是开始地址爆发脉冲的实际长度。同时允许内部地址计数器能正确的产生下一个地址位置。尺寸越大内存越快。设定值： 4 QW, 8 QW。
SDRAM 1T Command（SDRAM 1T指令）
此项控制SDRAM的指令速率。选择Enabled（启用）允许SDRAM信号控制器运行在1T (T=时钟周期)速度。选择Disabled（禁用）使SDRAM 信号控制器运行在2T 速度。1T 比2T的速度快。设定值有： Disabled（禁用），Enabled（启用）。
Fast Command（快速指令）
此项可以控制CPU的内在速率。选择Ultra允许CPU 以最快的速度运算数据/指令。Fast允许CPU 快速运算，Normal会让CPU在慢一点的速度运算。
Fast R-2-R Turnaround(快速R-2-R转向)
任何一个内存库的读请求都可以中断爆发读取操作对任何列的访问都是被允许。读操作到读操作最小间隔是1个时钟周期。选择Enabled 可以缩短转向时间间隔，进而提升系统性能表现。
设定值有: Disabled, Enabled。
AGP Timing Control（AGP调速控制）
按下（回车）进入子菜单并显示以下屏幕：
AGP Mode(AGP模式)
此项为安装的AGP卡设定一个适当的模式。设定值为： 1x, 2x, 4x,Auto。只有当您的AGP卡支持时才能选择4x。
AGP Fast Write(AGP快写)
此选项决定是否启用AGP快写特性。此特性允许CPU直接向显示卡写入，而不必经由系统内存，这样可以增进AGP 4X的速度。仅当您的AGP卡支持此特性时才能选择Enabled。
设定值有：Enabled, Disabled。
AGP Aperture Size (AGP孔径尺寸)
此项用来控制有多少系统内存可分配给AGP卡显示使用。孔径是用于图形内存地址空间一部分PCI内存地址范围。进入孔径范围内的主时钟周期会不经过翻译直接传递给AGP。设定值为：4MB，8MB，16MB，32MB，64MB，128MB，和256 MB。
AGP Master 1 W/S Write (AGP总线写入的1个等待状态)
此项设置允许用户在AGP总线的写周期中插入一个等待状态。设定值为： Enabled, Disabled。
AGP Master 1 W/S Read (AGP总线读取的1个等待状态)
此项设置允许用户在AGP总线的读周期中插入一个等待状态。设定值为： Enabled, Disabled。
AGP Read Synchronization (AGP读同步)
此项允许您开启或者关闭读同步特性。设定值为：Enabled,Disabled。
PCI Delay Transaction(PCI延迟处理)
芯片组内建一个32-bit写缓存，可支持延迟处理周期，使得系统与ISA总线进行的数据交换可被缓存，并且当ISA总线释放时PCI总线可以进行其他的数据交换。选择Enabled支持与PCI规格版本2.1兼容。设定值为：Enabled, Disabled。
电源管理特征
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IPCA Function（IPCA功能）
此项是用来激活ACPI (高级配置和电源管理接口) 功能。如果您的操作系统支持ACPI-aware，例如Windows 98SE/2000/ME，选择Yes。设定值为：Yes 和No。
ACPI Standby State（ACPI待机状态）
此选项设定ACPI功能的节电模式。如果您的操作系统支持ACPI，例如Windows 98SE/2000/ME，您可以通过此项的设定选择进入睡眠模式S1(POS)或者S3(STR)模式。可选项是：
S1/POS S1休眠模式是一种低能耗状态，在这种状态下，没有系统上下文丢失， (CPU或芯片组) 硬件维持着所有的系统上下文。
S3/STR S3休眠模式是一种低能耗状态，在这种状态下仅对主要部件供电，比如主内存和可唤醒系统设备，并且系统上下文将被保存在主内存。一旦有“唤醒”事件发生。存储在内存中的这些信息被用来将系统恢复到以前的状态。
Auto BIOS 自动决定最佳模式.
Call VGA BIOS at S3 Resuming (VGA卡S3唤醒)
选择Enabled，当系统从S3睡眠状态被唤醒时，允许BIOS根据VGA BIOS信息初始化VGA卡。如果禁用此功能，系统从睡眠状态被唤醒的时间将会缩短，但是系统就需要通过AGP驱动程序来初始化VGA卡。因此，如果显卡的AGP驱动不支持初始化功能，显卡在系统从S3状态唤醒后将不能正常工作。
USB Wakeup From S3 (USB设备从S3唤醒)
此项允许USB设备的活动将系统从S3 (挂起到RAM) 的睡眠状态唤醒。设定值为: Enabled, Disabled。
Power Management/APM (电源管理/高级电源管理)
当设定为Enabled 可以激活高级电源管理(APM)功能，可以增强节电性能，并停止系统内部时钟。设定值为：Disabled, Enabled。
Power/Sleep LED (电源/休眠灯)
此项设定系统如何使用机箱上的电源指示灯的来指示休眠/挂起状态。设定值有：
Single LED 电源指示灯不变色，以闪烁表示休眠/挂起状态。
Dual LED 电源指示灯改变颜色以指示休眠/挂起状态。
Suspend Time Out : Minute (挂起设定时间：分)
如果在指定的时间内系统无任何活动，所有的设备除了CPU，都会被关闭。设定值有: Disabled, 1, 2, 4, 8, 10, 20, 30, 40, 50, 60。
Display Activity (监视活动)
这些选项用来调节BIOS要监视的指定硬件周边或部件的活动。当设定为监视Monitor时，会自动监测指定的硬件中断活动。若被监视的硬件有任何活动发生，则系统会立即被唤醒或者阻止进入休眠状态。设定值为：Monitor, Ignore。
CPU Critical Temperature (CPU警戒温度)
如果CPU的温度达到指定的限度，系统回发出一个警报。这将帮助您防止CPU过热问题的发生。
Power Button Function(开机按钮功能)
此项设置开机按钮的功能，设置如下：
On/Off 最为正常的开机关机按钮。
Suspend 当您按下开机按钮时，系统进入休眠或睡眠状态，当按下4秒或不止4秒时,系统关机。
After AC Power Loss(交流电源失去之后)
此项决定着开机时意外断电之后，电力供应再恢复时系统电源的状态。设定选项为：
Power Off 保持机器处于关机状态。
Power On 保持机器处于开机状态。
Last State 将机器恢复到调电或中断发生之前的状态。
Set Monitor Events（（设置监控事件）
按下回车键进入子菜单并出现以下屏幕。
Wake Up On Ring
要使此项设置声效，您必需先安装支持开机功能的modem卡。当设置为Enabled时,modem的激活或者输入信号将会使系统从S3(Suspend toRAM) 状态唤醒。设定值为： Disabled, Enabled。
Wake Up On PME
此项设置为Enabled时,当检测到来自PME (Power Management Event)的事件时，会将系统从节电模式唤醒。设定值有:Enabled, Disabled。
Resume On KBC
此项设置允许键盘的激活信号将系统从S3(Suspend to RAM) 睡眠状态唤醒设定值为: Disabled, Any Key, Specific Key。
Wake-Up Key
此项设置允许用户设置一个唤醒键，此唤醒键可以将系统从电源节电状态唤醒。设定值为：Any Key, Specific Key。
Wake-Up Password
此项设置允许用户设置一个密码（最多5个字母）唤醒系统。
Resume On PS/2 Mouse
此项设置允许鼠标的激活信息可以将系统从(Suspend to RAM)睡眠状态唤醒。设定值为：Disabled, (double-click) Left-button, (doubleclick)Right-button。
Resume By Alarm (定事启动)
此项是用来启用或禁用系统在指定的的时间/日期从S5软关机状态启动的功能。设定值: Enabled, Disabled。如果Resume By Alarm 被设为Enabled, 系统将自动从规定的日/时/分/秒来启动机器。设置项如下：
指定日期01 ~ 31, Every Day
指定小时00 ~ 23
指定分钟00 ~ 59
指定秒钟00 ~ 59
注意：
如果您改变了这些设定，您必须重新启动系统再进入操作系统。这样做了，改变后的特性将在下一次启动后生效。
PNP/PCI 配置
此部分描述了对PCI总线系统和PNP特性的配置。PCI,即外围元器件连接，是一个允许I/O设备在与其特别部件通信时的运行时速度可以接近CPU自身速度的系统。此部分将涉及一些专用技术术语, 我们强烈建议非专业用户不要对此部分的设置进行修改。
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Plug and Play Aware O/S (即插即用操作系统)
当设定为Yes， BIOS 将只会安装用于系统引导的即插即用外接卡(VGA,IDE, SCSI)。剩余的外接卡的安装将由即插Windows? 98， 2000 或者ME。如果设置No, BIOS 会安装所有的即插即用外接卡。如果您的操作系统是即插即用的，选择Yes。
Clear NVRAM (清除NVRAM数据)
ESCD(扩展系统配置数据)，NVRAM(非挥发性随机存取存储器)是BIOS中以字符串格式为PNP或非PNP设备存储资源信息。当设定为YES时，系统重启后将ESCD NVRAM复位并将设置重新设置为NO。
PCI Latency Timer (PCI延迟时钟)
此项控制每个PCI设备可以掌控总线多长时间，直到被另一个接管。当设置为较高的值时，每个PCI设备可以有更长的时间处理数据传输，如此可以增加有效的PCI带宽。为了获取更好的PCI效能，您可将此项设为较高的值。可选的设置值范围是从32到248，以32为单位递增。
PCI IDE BusMaster (PCI IDE总线控制)
此项设定为Enabled可以设定PCI总线的IDE控制器有总线控制能力。设定值为：Disabled, Enabled。
Primary Graphics Adaptor (主图形适配器)
此项用于指定哪片VGA卡是您的主图形适配卡。设定值为: PCI, AGP。
PCI Slot1 IRQ, PCI Slot2/5 IRQ, PCI Slot3/6 IRQ, PCI Slot4 IRQ
此项规定了每个PCI插槽的IRQ值，设定值为： 3, 4, 5, 7, 9, 10, 11, Auto。
设定为Auto，则BIOS将为PCI插槽自动分配IRQ值。
整合周边
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Floppy Disk Controller(软驱控制器)
此项是用来启用或禁用板载板载软驱控制器。
Auto BIOS 将自动决定是否打开板载软驱控制器。
Enabled 启用板载软驱控制器。
Disabled 禁用板载软驱控制器。
Serial Port 1/2 (串行端口1/2)
这些选项规定了主板串行端口1(COM A)和串行端口2(COM B)的基本I/O端口地址和中断请求号。选择Auto将允许AMI BIOS自动决定恰当的基本I/O 端口地址。设定值为： Auto, 3F8/COM1, 2F8/COM2, 3E8/COM3, 2E8/COM4 和Disabled。
Serial Port2 Mode (串行端口2模式)
此项允许您规定串行端口2的工作模式。设定值有：Normal ，1.6uS，3/16 Baud 和ASKIR (后三种工作模式是为IR功能设定的）。
IR Pin Select (IR针脚选择)
当使用内置式IR设备连接IR接口时请设置IRRX/IRTX ,当使用IR适配器连接到COM B端口时，请设置SINB/SOUTB。
Parallel Port(并行端口)
这些选项规定了主板并行端口的基本I/O端口地址和中断请求号。选择Auto 允许AMIBIOS自动判断适当的基本I/O端口地址。设定值为： Auto,378, 278, Disabled。
Port Mode (端口模式)
此项用于选择板载并行端口的工作模式: ECP，Normal， Bi-Dir或EPP。
EPP Version (EPP版本)
当并行端口被设定为EPP模式时，此选项用来设置并行口使用何种增强型并行端口版本。设定值为：1.7，1.9。
Port IRQ (端口中断请求)
当OnBoard Parallel Port 设定为Auto时，此项显示Auto ，表示BIOS自动选择并行端口的中断请求号。
Port DMA (端口DMA)
此项仅在Parallel Port Mode 被设置为ECP 模式时需要配置。当并行端口被设为Auto时，此选项显示为Auto，表示BIOS自行为并行端口选择所需的DMA通道。
OnChip IDE Controller (板载IDE控制器)
此设置用来控制板载IDE的控制器。设定值:Disabled, Primary, Secondary,Both。
OnBoard LAN（板载网卡）
此设置控制板载IDE的控制器。设定值为：Disabled, Enabled。
OnBoard LAN P.M.E.(板载网卡P.M.E.）
此选项允许收到关于PME为：(Power Management Event)事件时将系统从节电模式唤醒。设定值为：Disabled, Enabled。
AC’97 Audio（板载音效）
选择Auto将允许主板检测是否有音频设备在被使用。如果探
参考资料：
http://www.rebios.net/page/setup/amibios.htm

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